[考博复习资料]2015年华中科技大学考博：集成电路原理与设计考试大纲_考博_旭晨教育

2015年华中科技大学考博：集成电路原理与设计考试大纲

① 半导体集成电路 张廷庆

第一章 集成电路的寄生效应

集成电路的双极型工艺，典型PN结隔离工艺，集成电路元件结构和寄生效应;多结晶体管埃伯斯-莫尔模型，集成电路晶体管有源寄生效应的形成过程，集成电路中的寄生电容和效应。

第二章 双极逻辑集成电路

双极型逻辑集成电路的发展过程，简易TTL与非门的逻辑结构，六管单元TTL与非门的工作原理及功耗计算，TTL电路的温度特性，TTL门电路的逻辑是如何扩展。

第三章 TTL中大规模集成电路

TTL芯片电路的简化逻辑门，单管逻辑门的功能，简化触发器结构，了解TTL中大规模集成电路的实际结构，双极型存储器结构，双极型门阵列结构与原理。

第四章 TTL电路版图设计

结合集成电路工艺的确定，熟悉集成电路版图设计的一般程序，版图设计的基本尺寸确定，集成晶体管版图，二极管版图，肖特基势垒二极管版图，集成电阻的版图。

第五章 ECL和I2L电路

ECL和I2L的电路结构，工作原理和特点，如何用这类型的电路实现逻辑运算。

第六章 nMOS逻辑集成电路

电阻负载MOS倒相器，E/E MOS倒相器，E/D MOS倒相器，自举负载MOS倒相器的结构和原理;了解这些电路的速度，静态功耗等特点，弄清楚有比电路的定义;什么是静态MOS电路。

第七章 CMOS集成电路

重点是CMOS倒相器和CMOS传输门的基本结构和工作原理，用这两类结构如何实现各种大规模逻辑电路，注意这类电路的转换特性和阈值损失原因;结合MOS工艺和版图结构，了解CMOS电路中的栅锁效应。

第八章 动态和准静态MOS电路

理解栅电容的电荷存储效应，这种动态电路的输入阻抗，对信号的作用;动态倒相器和电路单元的基本结构和原理，各种动态和准静态MOS电路单元。